特許
J-GLOBAL ID：200903087166712614
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195386
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041459
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における層間絶縁膜形成に当たって、より平坦化を実現できる製法を提供するものである。【構成】 前述の目的のための製法として、本発明では第1配線層形成後、薄いシリコン窒化膜を表面に成膜し、その後TEOSなど有機シランとオゾンをAP-CVD法で反応させてシリコン酸化膜を堆積させるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するにあたって、第1層配線層を形成後、シリコン窒化膜を減圧化学気相成長法またはプラズマ化学気相成長法にて薄く成膜し、その後前記シリコン窒化膜の表面に有機シランとオゾンを常圧化学気相成長法で反応させて形成したシリコン酸化膜を堆積させることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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