特許
J-GLOBAL ID：200903087170005868
フォトトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104477
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は高性能イメージセンサを構成するための高感度 、低残像フォトトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 本発明によるフォトトランジスタはSi基板上に形成したコレクタ層、ベース層、エミッタ層からなるトランジスタとトランジスタのベース層と同一の導電型でオーミック接続され、トランジスタのコレクタ層とp/n接合するアモルファスSi膜からなる。アモルファスSi膜はコレクタ層との間でフォトダイオードを形成し、その光電流は結晶Siのそれとほぼ同一であるが、接合容量を極めて小さくできる。従って、このフォトトランジスタによれば信号電圧感度が大幅に向上し、残像性能も改善でき、イメージセンサの高性能化に寄与できる。
請求項（抜粋）：
Si結晶基板上に形成したコレクタ層、ベース層、エミッタ層からなるトランジスタと、トランジスタのベース層と同一の導電型で、トランジスタのベース層と接続され、トランジスタのコレクタ層との間でp/n接合を形成するように堆積し、受光部として作用するアモルファスSi膜からなり、ベース-コレクタ間容量を大幅に削減したことを特徴とするフォトトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 E
