特許

J-GLOBAL ID：200903087173154201

薄膜コンデンサ付きセラミック基板および その製造方法

発明者： 早川 俊高 ,  吉田 忍 ,  高田 俊克
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-275991
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115851
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】グレーズ処理をしていない基板を使用できるために安価で、メッキのレベリング特性により高い信頼性を有し、下部電極の抵抗が低いために高周波特性の良好な薄膜コンデンサを備えた薄膜コンデンサ付きセラミック基板を提供する。【構成】セラミック基板1と、このセラミック基板上に形成された下部電極層5aと、この下部電極層上に形成され、下部電極層を構成する材質を陽極化成処理した材質からなる誘電体層6aと、この誘電体層上に形成された上部電極層7とを備えた薄膜コンデンサ付きセラミック基板において、セラミック基板と下部電極層との間に金属メッキ層による下部電極下地層3及びその接続層2を介在させる。

請求項（抜粋）：

セラミック基板と、該セラミック基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成され、該下部電極層を構成する材質の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極層とを備えた薄膜コンデンサ付きセラミック基板において、該セラミック基板と該下部電極層との間に金属メッキ層を介在させてなることを特徴とする薄膜コンデンサ付きセラミック基板。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H05K 3/38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125409
  
• 特開昭50-127168
  
• 特開昭61-044415