特許
J-GLOBAL ID：200903087177033530
半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323260
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230976
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 有害な薬液を使用することなく、金属不純物を確実に除去することができる。【構成】 半導体基板2はバキュームチャック3に保持され、チャンバー1内に収容される。上蓋5がチャンバー1に被せられ、チャンバー1が不活性ガス雰囲気に置換される。純水が半導体基板2の表面に塗布される。この状態で、紫外光が半導体基板2の表面に照射される。この後に、半導体基板2の表面は純水でリンスされ、乾燥される。
請求項（抜粋）：
支持手段によって半導体基板を水平に支持するステップと、上記支持された半導体基板の表面に純水を供給して、上記半導体基板の表面に純水薄膜を形成するステップと、上記純水薄膜の形成された半導体基板の表面に紫外光を照射するステップと、上記紫外光の照射を受けた半導体基板を純水によってリンスするステップと、上記リンスされた半導体基板を乾燥するステップとからなることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 7/04
