特許

J-GLOBAL ID：200903087180777494

基体洗浄方法

発明者： 新田 雄久
出願人/特許権者： 有限会社アイシーアイ研究所
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234376
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079595
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】イオン注入などにおいて使用されたレジストを高い清浄度を以って短時間で除去することが可能な基体洗浄方法を提供すること。【解決手段】イオン注入工程などにおいて使用されたレジストを表面に有する基板を、1分未満のプラズマアッシングした後、水蒸気からなる洗浄ガスを該基板表面に噴射することを特徴とする基体洗浄方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

レジストを表面に有する基板を、レジストを完全には除去しない程度に1分未満のプラズマアッシングした後、水蒸気からなる洗浄ガスを該基板表面に噴射することを特徴とする基体洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/027

FI (3件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/30 572A

Fターム (9件)：

5F004AA09 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA02 ,  5F004FA08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17