特許
J-GLOBAL ID:200903087187621554

半田、半田付け構造ならびに貫通型セラミックコンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-341097
公開番号(公開出願番号):特開2007-181880
出願日: 2006年12月19日
公開日(公表日): 2007年07月19日
要約:
【課題】構造体の孔内壁に内面電極を有する半田付け構造において、内面電極と構造体の孔内壁との界面や構造体の内部にクラックが生ぜず、十分な内面電極強度を備え、なおかつ鉛を含まないため環境に優しい半田、半田付け構造、ならびにこのような半田付け構造を備える貫通型セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】半田付け構造1は、孔2aを備える構造体2と、孔の内壁に形成された内面電極3と、孔に挿入されたリード線4と、孔に含浸されて内面電極とリード線とを固着させた鉛を含有しない半田5とからなり、半田は、凝固時において体積収縮しない合金からなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
BiとAgとの合金である半田であって、Agが0.01〜5質量%、残部がBiであることを特徴とする半田。
IPC (5件):
B23K 35/26 ,  C22C 28/00 ,  C22C 12/00 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/19
FI (7件):
B23K35/26 310C ,  B23K35/26 310D ,  B23K35/26 310A ,  C22C28/00 B ,  C22C12/00 ,  B23K1/00 330D ,  B23K1/19 H
Fターム (4件):
5E001AB02 ,  5E082AB06 ,  5E082JJ27 ,  5E082PP03
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開昭56-133810号公報
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Binary Alloy Phase Diagrams Second Edition, 1990, Vol.1, P.17,345,733,749,788,815,

前のページに戻る