特許

J-GLOBAL ID：200903087188346590

窒化物エピタキシ反応炉

発明者： 小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088774
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278986
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体のエピタキシにおいて、膜厚均一性に優れ、ミクロスコピックにも成長表面構造が均一で、品質に揺らぎのない窒化物半導体をエピタキシ成長させることを可能とする窒化物エピタキシ反応炉を提供すること。【解決手段】複数種の原料ガスを混合するための混合器3と、複数の噴き出し孔1を有する整流ノズル2とを有し、混合器3で混合した原料ガスを整流ノズル2を通して、加熱及び回転可能な基板支持台5に保持され、基板支持台5からの伝熱によって加熱された基板4上に供給し、前記原料ガスの熱分解により窒化物を基板4上に成長させる構成の窒化物エピタキシ反応炉によって課題を解決する。

請求項（抜粋）：

加熱及び回転可能な支持台に保持された基板上に原料ガスを供給し、前記原料ガスの熱分解により窒化物を前記基板上に成長させるための窒化物エピタキシ反応炉において、複数種の前記原料ガスを混合するための混合器と、複数種の噴き出し孔を有する整流ノズルとを有し、前記複数種の原料ガスを前記混合器で混合した後に前記整流ノズルを通して前記基板上に供給する構成としたことを特徴とする窒化物エピタキシ反応炉。