特許
J-GLOBAL ID：200903087192960405
透明導電膜の形成方法および透明導電膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米田 潤三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269686
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗でパターニング特性に優れた透明導電膜を低温にて形成することができる形成方法と、この形成方法に使用できる透明導電膜形成装置を提供する。【構成】 基板とターゲット材との間に接地化された導体を配設し、基板温度を室温乃至200°Cの範囲に設定してスパッタリング法によってターゲット材をスパッタして基板上に透明導電膜を形成する際に、上記の導体により雰囲気中の水素を吸着除去し、形成される透明導電膜の結晶化を安定させることにより結晶性の極めて高い透明導電膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板温度を室温乃至200°Cの範囲に設定してスパッタリング法によって基板上に透明導電膜を形成する方法において、基板とターゲット材との間に接地化した導体を配設し、前記ターゲット材をスパッタして前記基板上に透明導電膜を形成する際に雰囲気中の水素を前記導体により吸着除去することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/08
, C23C 14/34
, C30B 23/08
, H01B 13/00 503
C23C 14/08 D
, C23C 14/34 M
, C30B 23/08 Z
, H01B 13/00 503 B
