特許
J-GLOBAL ID：200903087194954550
電圧駆動型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082331
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275212
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】トレンチ型の絶縁ゲートを有する半導体装置において、トレンチ外周部でのしきい値電圧の上昇によるオン電圧の上昇、あるいは、しきい値電圧の低下によるトレンチ外周部での電流集中による破壊を防止する。【解決手段】ゲート電圧印加時に、チップ外周部のゲート電極がMOS動作しない構造にする。【効果】外周部トレンチ溝の形状がスイッチング動作に影響しない。
請求項（抜粋）：
第1半導体領域と、第1半導体領域に隣接する第1導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域に隣接する第2導電型の第3半導体領域と、第3半導体領域内に設けられる第1導電型の第4半導体領域と、を有する半導体チップを備え、第1半導体領域に接触する第1主電極と、第4半導体領域に接触する第2主電極と、第3半導体領域を貫通する複数のトレンチ内に設けられる絶縁ゲート電極と、を具備し、半導体チップのターミネーション部に隣接するトレンチ内に設けられる絶縁ゲート電極が第2主電極に接続されることを特徴とする電圧駆動型半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 654 Z
, H01L 29/78 655 F
