特許
J-GLOBAL ID：200903087195582223
殆ど平坦で狭い溝による半導体基板の活性領域の絶縁方法、および対応する装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091248
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037232
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の活性領域の両側に溝を設け、それを絶縁材料で充填することによって優れたアイソレーションを提供し、しかも表面の平坦性を保証する。【構成】 活性領域を形成する予定の領域の両側に平坦で浅い溝を設け、その溝を少くとも一つの同形と呼ばれる酸化物の層を持つ絶縁材料で充填する。その絶縁材料は上記領域の両側に装置の平坦な上の表面上に突起を持っており、その突起の高さは100nmを越えない。その絶縁材料は平坦化の酸化物層も含むことができる。【効果】 電気的絶縁性に優れ、しかも表面平坦なアイソレーションを得ることができる。
請求項（抜粋）：
下記の工程を含むことを特徴とする、横の溝による半導体基板の活性領域の絶縁方法、a) 後に活性領域(6)を形成する予定の、基板の予め定められた領域(6)に対して横に設けられた溝(7)を半導体基板(1)の中に作る工程、b) それらの溝(7)の中であって、基板の予め定めらた上記領域(6)の上に、少くとも一つの同形と呼ばれる絶縁酸化物の層(8)を設ける工程、c) 工程b)で形成された半導体ブロックの濃密化の再焼成を行なう工程、およびd) 基板の予め定められた各領域(6)の両側に、または隣接する基板の予め定められた各領域群(106)の両側に、同形の酸化物の突き出た領域(13,113)を残すように再焼成された半導体ブロックの部分的な選択エッチングを行なう工程、e) 同形の酸化物の突き出た領域の高さを選択された残留凹凸の高さ以下に減少させるように、工程d)で形成された半導体ブロックの同形の酸化物の層(10,110)の部分的な機械的化学的研磨を行なう工程、f) 工程e)で形成された半導体ブロックの上で行なわれる、腐蝕終了検出を含む化学的エッチング、例えばプラズマ・エッチングで基板の予め定められた領域を露出させる工程。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/3065
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/76 L
, H01L 21/302 L
, H01L 21/90 P
