特許
J-GLOBAL ID:200903087198249487

溶融金属の連続鋳造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小谷 悦司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-229776
公開番号(公開出願番号):特開2001-246449
出願日: 2000年07月28日
公開日(公表日): 2001年09月11日
要約:
【要約】【課題】 鋳型内に高周波磁場を印加して連続電磁界鋳造を行なう際に、極力小さな消費電力でオッシレーションマークや湯じわ等の鋳片表面欠陥のない鋳片を効率よく製造できる連続鋳造法を提供すること。【解決手段】 連続鋳造鋳型内に高周波磁場を印加して電磁界鋳造を行なうに当たり、印加される磁場周波数をf(kHz)、鋳造速度をv(m/sec)、鋳型振動数をfm(Hz)、鋳型振動の片振幅をa(m)としたとき、初期凝固殻形成位置に印加される磁場の大きさB(ガウス)が、操業パラメータによって決まるネガティブストリップ時間tn(sec)と前記磁場周波数(f)から下記式によって求められる必要最小磁束密度(Bmin:ガウス)を下回らない様に制御する。Bmin=1130×tn-5f×(tn-0.05)tn=cos-1(v/2π×fm×a)/(π×fm)
請求項(抜粋):
連続鋳造鋳型内に高周波磁場を印加して電磁界鋳造を行なうに当たり、印加される磁場周波数をf(kHz)、鋳造速度をv(m/sec)、鋳型振動数をfm(Hz)、鋳型振動の片振幅をa(m)としたとき、初期凝固殻形成位置に印加される磁場の大きさB(ガウス)が、操業パラメータによって決まるネガティブストリップ時間tn(sec)と前記磁場周波数(f)から下記式によって求められる必要最小磁束密度(Bmin:ガウス)を下回らない様に制御することを特徴とする溶融金属の連続鋳造法。Bmin=1130×tn-5f×(tn-0.05)但し、tn=cos-1(v/2π×fm×a)/(π×fm)
IPC (4件):
B22D 11/11 ,  B22D 11/04 311 ,  B22D 11/16 105 ,  B22D 11/20
FI (4件):
B22D 11/11 D ,  B22D 11/04 311 J ,  B22D 11/16 105 ,  B22D 11/20 A
Fターム (4件):
4E004AA09 ,  4E004MA02 ,  4E004MB11 ,  4E004MC05
引用特許:
審査官引用 (2件)

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