特許
J-GLOBAL ID：200903087198511742
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165961
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074282
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 高熱伝導性と低弾性を同時に満足するように配線基板とパッケ-ジとを接着する構造を有する複合型半導体装置を提供する。【構成】 放熱板9を取付けたアルミナなどのセラミックパッケ-ジ3内底面上に配線基板6が接着剤で固着されている。この配線基板上にはCPUやメモリなどのチップ5が複数搭載されている。チップ5は、熱伝導性の接着剤4で配線基板6に固着している。配線基板6をパッケ-ジ3に固着する接着剤は、大部分は低弾性接着剤2を用い、配線基板6のチップ5が搭載されている部分の下には、熱伝導性接着剤1を用いる。チップの発熱により発生する配線基板とパッケ-ジの違いから生ずる界面の応力は、高熱伝導性接着剤の使用を極力限定しているので、前記低弾性接着剤2が効率的に緩和させ減少させる。
請求項（抜粋）：
パッケージと、回路配線が形成されている半導体基板から構成され、かつ、前記パッケ-ジの内底面上に配置されている配線基板と、前記配線基板と前記パッケージの内底面間に設けられ、前記配線基板を前記パッケ-ジに固着する接着剤と、前記配線基板上に装着され、この配線基板の回路配線と電気的に接続している複数の半導体素子と、前記パッケージの開口部を密封するキャップとを備え、前記配線基板の少なくとも1つの前記半導体素子が装着されている領域の裏面には前記接着剤として高熱伝導性接着剤が形成されており、前記配線基板の他の領域の裏面には、前記接着剤として低弾性接着剤が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
