特許
J-GLOBAL ID：200903087198762877
半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305288
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151529
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 ウエハテストにおけるAl電極上のアルミナ膜による探針劣化やトラブルの発生を防ぐ。【構成】 ウエハプロセスS1が終了して半導体装置が形成されている半導体ウエハが保管工程S2で保管されている。不良導体除去工程S3において、保管工程S2で保管している間に半導体ウエハの表面に発生した不良導体を除去する。その後、ウエハテスト工程S4において、探針を使って半導体ウエハとの導通を取りながら半導体ウエハの電気的特性を測定する。【効果】 アルミナなどの微量の絶縁物が半導体ウエハの電極上に存在することによるウエハテスト時のトラブルを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成された半導体素子の電気的特性を測定するため、半導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的特性を測定するウエハテスト工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ウエハテスト工程の前に、前記探針が接触する前記半導体ウエハ上の不良導体を除去する工程を備える、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01L 21/304 341
