特許

J-GLOBAL ID：200903087199187043

薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 永井 正一 ,  三村 秋男 ,  須賀 博 ,  生田 勲 ,  峯村 哲郎 ,  長江 慶治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074068
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】 不純物ドーピングの均一性の向上を図ることができ、量産性の良好なTFT等の薄膜半導体素子の製造方法。【構成】 薄膜半導体素子基板の長辺よりも大きい長辺寸法を有するイオンビーム照射スリット3上を薄膜半導体素子基板1を搬送して、イオンドーピング法により薄膜半導体素子基板のシリコン膜に不純物をドーピングして薄膜半導体素子を製造する。そして、前記イオンビーム照射スリットのイオン電流分布が±10%以内の良好な範囲を選択し、その範囲に薄膜半導体素子基板を搬送して、1回または複数回のイオンドーピング処理を実行する。薄膜半導体素子基板は、搬送毎に一定量移動させながら複数回搬送されてもよく、また、搬送毎に一定量回転させながら複数回搬送されてもよい。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体素子基板の幅よりも大きい長辺寸法を有するイオンビーム照射スリット上を薄膜半導体素子基板を搬送して、イオンドーピング法により薄膜半導体素子基板に不純物をドーピングして形成する薄膜半導体素子の製造方法において、前記イオンビーム照射スリットのイオン電流分布の良好な範囲を選択し、その範囲に薄膜半導体素子基板を搬送して、1回または複数回のイオンドーピング処理を実行することを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/22 E ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 L