特許
J-GLOBAL ID:200903087199499363
強誘電性液晶セル
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-191565
公開番号(公開出願番号):特開平5-034724
出願日: 1991年07月31日
公開日(公表日): 1993年02月12日
要約:
【要約】【目的】 強誘電性液晶と薄膜トランジスタを組合わせた液晶セルを動作させたばあいに生じる反転電流による悪影響を消去する。【構成】 薄膜トランジスタのドレイン電極側の容量に蓄積される電荷量の値を、強誘電性液晶の自発分極と透明電極の面積との積の2倍以上とした。
請求項(抜粋):
少なくともその表面が絶縁物からなる基板上に薄膜トランジスタおよび画素電極が設けられた薄膜トランジスタアレイ基板と、少なくともその表面が絶縁物からなる基板上に対向電極が設けられた対向基板とが強誘電性液晶を挟み込む構造の液晶セルであって、薄膜トランジスタのドレイン電極側の全ての容量に蓄積された電荷量の値が強誘電性液晶の自発分極と画素電極の面積との積の2倍以上であることを特徴とする強誘電性液晶セル。
IPC (2件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 560
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭61-267734
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特開平1-191830
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特開昭64-076037
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