特許

J-GLOBAL ID：200903087200118743

窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ

発明者： 木原 倫夫 ,  古屋 貴士 ,  土屋 忠厳 ,  坂口 春典
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299325
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 電子移動度が高く、ピンチオフ特性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 サファイア基板12の格子定数がGaNの格子定数より大きいため、GaN層10、11、14が引張り応力を受けるが、un-GaN層14上に格子定数の小さいun-AlGaN層13を形成することにより、GaN層10、11、14は逆に圧縮応力を受け、応力歪みの影響を緩和することができる。応力歪みの影響が減少したことにより、電子移動度が大きくなる。また、un-AlGaN層13上部に生じる正のピエゾ電荷によってピンチオフ特性が向上する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、GaNバッファ層とチャネル層との間に、GaNよりも格子定数の小さい層を一層以上挿入したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/205

Fターム (19件)：

5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045DA69 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142221   出願人：ソニー株式会社