半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004000183
公開番号（公開出願番号）：WO2004-066393
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

窒化物半導体層を含む半導体装置は、シリコン基板1の上にAlNから成る第1の層8とp型GaNから成る第3の層10とCaNから成る第2の層9とを交互に複数積層した構造のバッファ層2を有する。バッファ層2の上にHEMTを形成するための窒化物半導体層を含む主半導体領域3を有する。第3の層10の厚みは0.5〜50nmである。第3の層10は2次元電子ガスの発生を抑制する効果を有する。これにより、バッファ層2の低抵抗化が防止される。

請求項（抜粋）：

シリコン又はシリコン化合物から成る基板(1)と、前記基板(1)の一方の主面上に配置されたバッファ層(2又は2a又は2b又は2c又は2d)と、半導体素子を形成するために前記バッファ層(2又は2a又は2b又は2c又は2d)の上に配置された少なくとも1つの窒化物半導体層を含んでいる主半導体領域(3又は3a)とを備えた半導体装置であって、前記バッファ層(2又は2a又は2b又は2c又は2d)が、 Al(アルミニウム)を第1の割合で含む窒化物半導体から成る第1の層(8又は8a又は8b)と、 Alを含まない窒化物半導体又は前記第1の割合よりも小さい第2の割合でAlを含む窒化物半導体から成る第2の層(9又は9a又は9b)と、前記第1の層(8又は8a又は8b)と前記第2の層(9又は9a又は9b)との間に配置され且つ2次元電子ガスの発生を抑制することができる材料からなる第3の層(10又は10a)とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/812 , H01L 21/338 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 29/778

FI (4件)：

H01L29/80 B , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (44件)：

4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL03 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GR01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC19 , 5F102HC21

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