特許

J-GLOBAL ID：200903087207319124

スパツタ成膜方法及びスパツタ成膜装置

発明者： 和田 俊男 ,  田中 公明
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321369
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136058
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 高いアスペクト比を有するコンタクトホールでもその底部に平坦な薄膜を形成することができ、しかも成膜後の膜質の信頼性を低下させることのないスパッタ成膜方法及びスパッタ成膜装置を提供する。【構成】 スリットシャッター22を基板10とターゲット16の間に配置する。スリットシャッター22には多数の貫通穴22aが形成され、貫通穴22aのアスペクト比が基板10に形成したコンタクトホールのアスペクト比よりも大きくなるように貫通穴22aを形成する。ターゲット16から弾き出されたスパッタ原子のうち所定の方向性を有するものだけがスリットシャッター22により選択される。

請求項（抜粋）：

ターゲットにイオンを衝突させて、半導体基板上に薄膜を形成するスパッタ成膜方法において、前記ターゲットから飛び出した粒子のうち所定の方向性を有するものだけを選択した後、該選択された粒子を前記半導体基板上に堆積させることを特徴とするスパッタ成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-017173
  
• 特開昭63-310965