特許

J-GLOBAL ID：200903087214042715

半導体装置の製造方法

発明者： 児玉 修一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106159
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297674
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 有機膜が表面に存在している状態で行われるスパッタ現象を用いたクリーニングにおいて、そのクリーニングを行う処理装置内におけるゴミの発生を抑制する。【解決手段】 スパッタクリーニングをするプラズマ処理装置において、酸化シリコンからなるダミー基板をスパッタクリーニング処理する前処理を行い、この後、基板101の開口部107底部に露出した金属配線層102表面のスパッタクリーニング処理を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された導電材料からなる配線層とその上に形成された絶縁性を有する有機物からなる有機絶縁膜とを備えた半導体装置の製造方法において、前記有機絶縁膜の所定領域に開口を形成して前記配線層の一部表面を露出させる第1の工程と、プラズマ処理装置の処理室内に前記基板を載置し、不活性ガスのプラズマに暴露させて前記不活性ガスのイオンを前記基板表面に衝撃させることで少なくとも前記配線層の露出面をスパッタクリーニングする第2の工程とを少なくとも備え、前記プラズマ処理装置の処理室内に酸化シリコンからなるダミー基板を載置し、不活性ガスのプラズマに暴露させて前記不活性ガスのイオンを前記ダミー基板に衝撃させて前記ダミー基板を所定量スパッタエッチングした後で引き続き前記第2の工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/92 604 A