特許
J-GLOBAL ID：200903087215043278
半導体部品とその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156786
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006936
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体部品とその製造方法に関し、苛酷な温度条件下でも耐え得る半導体部品、特に、赤外ダイオードアレイと組み合わせて赤外線撮像装置としたときにその効果を発揮する半導体部品とその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 絶縁基板2上に薄層化された半導体回路層11を形成した半導体部品において、絶縁基板2と半導体回路層11とが親水性膜13w、23wを介して貼り合わした構成とする。上記の半導体回路層11が赤外線ダイオードアレイ300より得られる信号を処理する信号処理回路111である場合は、該赤外線ダイオードアレイ300と膨張率が同じ程度である上記絶縁基板2が選択される。これによって、赤外線ダイオードアレイ300が過酷な熱サイクル下で使用されても信号処理回路111との接続が外れることはない。
請求項（抜粋）：
絶縁基板(2) 上に薄層化された半導体回路層(11)を形成した半導体部品において、絶縁基板(2) と半導体回路層(11)とが親水性膜(13w) 、(23w) を介して貼り合わされたことを特徴とする半導体部品。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 27/14
, H01L 21/02
