特許

J-GLOBAL ID：200903087216058376

一体制御式電界放出フラツト型デイスプレイ装置

発明者： ロバート・シー・ケーン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031599
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067441
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 フラット型ディスプレイに用いられる冷陰極電界放出装置に関し、FEDフラット型ディスプレイボード上に画素付勢電極の一体制御を組込むことを目的とする。【構成】 一体制御式電界放出ディスプレイ(FED)装置にあって、一般にトランジスタデバイスとして実現された少なくとも第1のコントローラ(404,406,408)をFED装置の少なくとも1層の巾若しくはその上に配置し、FED装置の電界放出装置(322,316)の少なくとも1つの層に動作的に接続されている。一体的に形成された複数のコントローラは選択的に相互接続されFED装置のFED群を選択的に制御し、これにより、FED装置の一体的なアクティブなアドレシングを提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1のデバイス陽極、少なくとも第1のデバイス非絶縁ゲート層、及び少なくとも第1のデバイス電子エミッタを有する一体制御(integral control)式冷陰極電界誘導電子放出(field-induced electron emission)ディスプレイ装置であって、A)少なくとも主平面を有する支持基板、B)少なくとも第1の一体コントローラであって、該一体コントローラが前記支持基板、前記少なくとも第1のデバイス非絶縁ゲート層、及び前記少なくとも第1のデバイス電子エミッタ(放出器)層の内の少なくとも1つの中もしくは上に設けられ、かつ前記第1のテバイス陽極および、必要に応じて、他のデバイス陽極、前記少なくとも第1のデバイス非絶縁ゲート層、及び前記少なくとも第1のデバイス電子エミッタの少なくとも1つに接続され、前記少なくとも第1のデバイス電子エミッタが前記支持基板の少なくとも主平面に動作的に接続されて電子を放出し、前記少なくとも第1のデバイス陽極が前記少なくとも第1のデバイス電子エミッタに関して実質的に末端に配置されたもの、C)第1の絶縁層であって、該第1の絶縁層が前記支持基板の少なくとも主平面に少なくとも部分的に配置されかつ少なくとも第1の開口を有し、これにより、各所望の電子エミッタが各所望の少なくとも第1の開口内に実質的に対称的に配置されかつ前記少なくとも第1のデバイスの非絶縁ゲート層が前記少なくとも第1の絶縁層の少なくとも一部に各デバイス電子エミッタの実質的に周囲に対称的に配置されたもの、D)第1の陰極発光層であって、前記少なくとも第1のデバイスの陽極に接続され該第1のデバイス陽極上に実質的に配置され、これにより、放出された電子の少なくとも一部が少なくとも前記第1の陰極発光層の少なくとも一部の上に衝突し、また、前記第1の陰極発光層が少なくとも前記デバイス電子エミッタの第1のデバイス電子エミッタに関して末端にかつ各所望の少なくとも第1の開口内に実質的に対称に配置されたもの、を具備し、前記少なくとも第1の陰極発光層に衝突する放出電子の少なくとも一部が少なくとも前記第1のデバイス陽極によって集められて少なくとも第1のディスプレイを提供する一体制御式冷陰極電界誘導電子放出装置。

IPC (3件)：

H01J 31/12 ,  G09G 3/12 301 ,  H01J 1/30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-309541
  
• 特開平3-129606
  
• 特開平3-295138