特許
J-GLOBAL ID：200903087216850185
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102145
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275698
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタのソース/ドレインとゲート間の寄生容量を低減し併せて低リーク電流化を図る。【構成】 絶縁基板1の上に薄膜トランジスタが形成されている。このトランジスタは例えば逆スタガ構造を有し、ゲート電極2の上に順次ゲート絶縁膜3、半導体活性層4、ソース電極7/ドレイン電極8が積層されている。ゲート電極2はチャネル領域の幅方向に沿って凹凸端面形状を有する。ソース電極7及びドレイン電極8の端部はこの凹凸端面に整合しておりオーバラップ部分が少ない。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の幅方向に沿って凹凸端面形状を有するゲート電極を備えた事を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
