特許
J-GLOBAL ID：200903087223014511
レベルシフタ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283979
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】動作スピードを低下させることなく、かつプロセス工程を増加させることなく、高電圧出力,高信頼が得られるようにする。【構成】Nチャネル型のMOSトランジスタQ1,Q2のドレイン電極とソース電極に電源電位Vdd2を受けるPチャネル型のMOSトランジスタのドレイン電極との間にそれぞれゲート電極をMOSトランジスタQ1,Q2のゲート電極と対応接続するNチャネル型のMOSトランジスタQ3,Q4を設ける。ソース電極にそれぞれVdd2の1/2の電源電位Vdd1を受けゲート電極及びドレイン電極をMOSトランジスタQ1,Q2のゲート電極及びドレイン電極と対応接続するPチャネル型のMOSトランジスタQ5,Q6を設ける。【効果】MOSトランジスタQ1〜Q4のソース・ドレイン間電圧がVdd2の1/2以下に抑えられこれらを高耐電圧構造としなくて済む。
請求項（抜粋）：
ゲート電極に入力信号を受けソース電極を基準電位点と接続する一導電型の第1のMOSトランジスタと、ゲート電極に前記入力信号のレベル反転信号を受けソース電極を前記基準電位点と接続する一導電型の第2のMOSトランジスタと、ゲート電極に前記入力信号を受けソース電極を前記第1のMOSトランジスタのドレイン電極と接続する一導電型の第3のMOSトランジスタと、ゲート電極に前記入力信号のレベル反転信号を受けソース電極を前記第2のMOSトランジスタのドレイン電極と接続する一導電型の第4のMOSトランジスタと、ゲート電極に前記入力信号を受けソース電極を第1の電源電位の第1の電源供給端と接続しドレイン電極を前記第1のMOSトランジスタのドレイン電極と接続する逆導電型の第5のMOSトランジスタと、ゲート電極に前記入力信号のレベル反転信号を受けソース電極を前記第1の電源供給端と接続しドレイン電極を前記第2のMOSトランジスタのドレイン電極と接続する逆導電型の第6のMOSトランジスタと、ゲート電極を前記第4のMOSトランジスタのドレイン電極と接続しソース電極を第2の電源電位の第2の電源供給端と接続しドレイン電極を前記第3のMOSトランジスタのドレイン電極と接続する逆導電型の第7のMOSトランジスタと、ゲート電極を前記第3のMOSトランジスタのドレイン電極と接続しソース電極を前記第2の電源供給端と接続しドレイン電極を前記第4のMOSトランジスタのドレイン電極と接続しこのドレイン電極を信号出力端とする逆導電型の第8のMOSトランジスタとを備えたレベルシフト部を有することを特徴とするレベルシフタ回路。
IPC (3件)：
H03K 5/02
, G09G 3/20
, H03K 19/0185
