半導体ウエハを切断する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085096
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045879
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】スクライブラインにテストパターンを含む半導体ウエハを、スライバを生じないで切断する方法を提供する。【構成】スクライブラインに沿って堆積された材料32を除去しながら、プレート状のウエハ、特に半導体ウエハ30を切断する方法。堆積された材料は、一般にのこ刃33の幅より広い幅を有する。この方法は、スクライブラインの一方の側に1つのスクライビング切込みを行うステップと、スクライブラインの他方の側に第2のスクライビング切込みを行うステップと、スクライブラインに沿って分断切込みを行い、ウエハをダイスするステップとを含む。

請求項（抜粋）：

のこ刃でスクライブラインに沿って半導体ウエハを切断する方法であって、前記スクライブラインは、前記半導体ウエハの上面に位置決めされ、前記スクライブラインの上に堆積されたテストパターンを有し、前記方法は、前記テストパターンを含む前記半導体ウエハの上面に少なくとも1つのスクライビング切込みを行い、残余している前記テストパターンの幅が前記のこ刃の厚さより広くないようにするステップと、スクライブラインに沿って分断切込みを行い、前記残余しているテストパターンを除去し、かつ前記半導体ウエハを分断するステップとを含む、半導体ウエハを切断する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , B28D 5/00

FI (3件)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/78 V , H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-154639
ウエハのダイシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-202411 出願人：三菱電機株式会社
特開昭56-103447

全件表示

前のページに戻る