半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057839
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255828
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】シリサイド層の抵抗を上昇させず、素子間のリーク電流の発生を回避できる素子分離構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1に素子分離用トレンチ10を形成し、素子分離用トレンチ10の側壁に上端部が円弧状Rの形状のサイドウォール11をシリコン膜から形成し、サイドウォール11の側面を絶縁膜12で覆い、拡散層13N,13Pの上面であってその端部がサイドウォール11の上部に位置するシリサイド層14を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板に形成された素子分離用トレンチと、前記素子分離用トレンチの側壁に被着して形成されたポリシリコンサイドウォールと、前記ポリシリコンサイドウォールの側面に形成された絶縁膜と、前記単結晶シリコン基板の表面に形成されその端部が前記ポリシリコンサイドウォールの上部に形成されたシリサイド層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/28 301 T , H01L 21/76 S

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