特許

J-GLOBAL ID：200903087225821244

電気絶縁材料用熱硬化性樹脂組成物

発明者： 津村 学 ,  岩原孝尚
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313399
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152616
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子(チップ)は大型化、高集積度化の傾向が高まり、半導体チップと封止樹脂との熱膨張係数の差に基づく熱応力により、半導体チップの反り、クラックや封止樹脂のクラックが発生する等の問題が生じるようになった。【解決手段】 主鎖骨格を構成する原子の30%以上の原子がケイ素と炭素からなり、分子量が1000以上の、分子末端がビニルシリル基の反応性ケイ素系高分子((A)成分)、及び1分子中に少なくとも2つ以上のSi-H基を有するケイ素化合物((B)成分)、及び(C)成分として、、1分子中に少なくとも2個以上の分子量1000未満のビニルシリル基を有するが、1分子中に、Si-H基とビニルシリル基を2個以上有する分子量1000未満のケイ素化合物、及び(D)成分としてヒドロシリル化触媒を必須成分とした電気絶縁材料用熱硬化性樹脂組成物。

請求項（抜粋）：

主鎖骨格を構成する原子の30%以上の原子がケイ素と炭素からなり、分子量が1000以上のケイ素系高分子で、分子末端がビニルシリル基(CH2=CR’-Si(R)2-)であることを特徴とする反応性ケイ素系高分子((A)成分)、及び1分子中に少なくとも2つ以上のSi-H基を有するケイ素化合物((B)成分)、及び(C)成分として、甲・乙成分として示した成分の中から少なくとも1種類以上の分子量1000未満のケイ素化合物、1分子中に少なくとも2個以上のビニルシリル基(CH2=CR’-Si(R)2-) を有する分子量1000未満のケイ素化合物((甲)成分)、1分子中に、Si-H基とビニルシリル基(CH2=CR’-Si(R)2-)が合わ せて少なくとも2個以上有する分子量1000未満のケイ素化合物((乙)成分)、及び(D)成分としてヒドロシリル化触媒を必須成分とした電気絶縁材料用熱硬化性樹脂組成物。(式中、Rは炭素数1〜20の1価の有機基を表し、R’は水素または1価の有機基を表す。)

IPC (4件)：

C08L 83/05 ,  C08K 5/54 ,  C08L 83/07 ,  H01B 3/30

FI (4件)：

C08L 83/05 ,  C08K 5/54 ,  C08L 83/07 ,  H01B 3/30 Z