特許
J-GLOBAL ID：200903087226027347
半導体装置の配線接続構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021240
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホール部での上層配線のステップカバレージ特性を損なうことなく、上層配線をパターニングする際のレジスト露光時のハレーションを防止する。【構成】 コンタクトホール5に、テーパーではなく、半導体基板の主面に平行な面52aと垂直な面52bとからなる段差部52を設ける。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて下層配線と上層配線とが互いに接続されている半導体装置の配線接続構造において、前記コンタクトホールが、半導体基板の主面に対して実質的に平行な面と実質的に垂直な面とからなる段差を有していることを特徴とする半導体装置の配線接続構造。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
