特許

J-GLOBAL ID：200903087230723862

半導体装置の製造方法

発明者： 神林 茂 ,  三谷 祐一郎 ,  水島 一郎 ,  山崎 英之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082651
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に結晶欠陥等の少ない単結晶シリコン膜を固相成長法を用いて形成すること。【解決手段】成膜室内に単結晶のシリコン基板1を収容し、成膜室内に成膜ガスを導入してアモルファスシリコン膜3を形成する際に、上記成膜ガスを導入する前に、アモルファスシリコン膜3を形成するときよりも基板温度を低く設定して、成膜室内に還元性ガスとしてSi2 H6 ガスを導入する。しかる後、熱処理による単結晶のシリコン基板1を種にした固相成長により、アモルファスシリコン膜3を単結晶シリコン膜3aに変える。

請求項（抜粋）：

容器内に半導体基板を収容する工程と、前記容器内が成膜温度に達するまで前記容器内に還元性ガスを含むガスを導入する工程と、前記還元性ガスを前記容器内に導入した後、前記容器内に成膜ガスを導入して前記半導体基板上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X