特許

J-GLOBAL ID：200903087231729171

半導体製造装置の縦型炉

発明者： 谷山 智志 ,  開発 秀樹 ,  遠目塚 幸二
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097767
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置の高温処理用縦型炉に於いてシール性を向上させ、クリーニングガスが反応炉より漏出することを防止し、クリーニングガスとしてHClガスの使用を可能としたものである。【構成】石英製のフランジアダプタ13に立設した炭化硅素製の反応管7の下端を反応管を囲繞するヒータユニット1加熱域の下端に合わせ、反応管の下端にフランジ7aを形成し、フランジアダプタの上フランジと前記フランジ間にシール溝23を形成し、前記フランジと上フランジとを重合させ、前記シール溝に不活性ガスのシールガスを供給し、反応管とフランジアダプタとの接合部をシールし、リークガスにより発生する障害を防止する。

請求項（抜粋）：

石英製のフランジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/302 F