特許

J-GLOBAL ID：200903087233184830

太陽電池の製造法

発明者： 花房 彰 ,  澁谷 聡 ,  江田 信夫 ,  有田 孝 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235508
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085297
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 CdS膜またはCd1-x Znx Sの窓層の粒径を増大させ、粒界表面積を減少させると共にCdSとCdTeの相互拡散を抑え、発電領域であるCdTe膜への到達光量を増大させ太陽電池の高効率化を図る。【構成】 SnO2 基板1上にCdS膜2の窓層を形成後、CdCl2 などのCdハロゲン化物の膜3、またはLiClなどのLiハロゲン化物膜3aを形成した後、それら材料の融点の上下50°Cの温度域で熱処理後、700°Cへ昇温してCdTe膜の吸収層を形成する。またCdS膜2の窓層を形成後、前記Liのハロゲン化物膜3aを形成し、そのハロゲン化合物の融点以上の温度で熱処理した後、CdTeの膜などの吸収層を形成する。その形成はCdTeペーストをスクリーン印刷法で塗布乾燥後650°Cで焼付けた。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に少くともCdS膜の窓層を備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化カドミウム(CdF2 )を除くカドミウム(Cd)のハロゲン化合物の膜を形成し、その融点の上下50°Cの温度領域で、熱処理した後引続き700°Cで熱処理を行い、その後吸収層を形成する太陽電池の製造法。