特許
J-GLOBAL ID：200903087237244617
表面処理方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281039
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224156
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチングに際しては高い異方性と高い選択性とをもたらし、デポジションに際しては高い均一性をもたらすような表面処理方法およびその方法を実施するための装置を提供すること。【構成】ドライエッチングやデポジションなどの表面処理に有効な特定の化学種(イオン)を含む種々の化学種を光イオン化法により生成させ、生成した種々の化学種の中から上記した特定の化学種のみを所定の捕捉位置に適当な時間内捕捉し、この捕捉した特定の化学種を目的とする表面処理に有効な特定の振電状態に励起し、この特定の振電状態に励起した特定の化学種(イオン)をその並進速度を揃えて引き出して試料に照射することによって、試料表面の処理を行う。【効果】高い異方性と高い選択性を有するドライエッチング並びに均一な膜質のデポジションが可能となる。
請求項（抜粋）：
表面処理用のガスを電離して表面処理に必要な特定の化学種を含む種々の化学種を生成する化学種生成工程と、生成した種々の化学種の中から上記特定の化学種を選択して所定の捕捉位置に捕捉する化学種捕捉工程と、捕捉した特定の化学種を上記捕捉位置から引き出す化学種引き出し工程と、引き出した特定の化学種を試料表面に供給して該試料表面を処理する表面処理工程とを含んでなることを特徴とする表面処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/302
, C23C 14/32
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, C23F 4/02
, C23F 4/04
