特許
J-GLOBAL ID：200903087243652204
薄膜磁気デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321636
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143929
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 高周波においても効率よく動作する薄膜磁気デバイス、およびその製造方法を得る。【解決手段】 基板5上に積層形成された矩形状スパイラルコイル2、このコイル2上に積層形成された非磁性絶縁体3、この非磁性絶縁体3上に積層形成された磁性膜1により構成された薄膜磁気デバイスにおいて、上記磁性膜1は上記コイル2の周方向に沿ってミゾ1bが形成されており、隣接するミゾ1b間に形成される短冊状磁性膜1aの磁化容易軸が上記短冊状磁性膜1aの長手方向に沿うように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に積層形成されたコイル、このコイル上に積層形成された非磁性絶縁体、この非磁性絶縁体上に積層形成された磁性膜により構成された薄膜磁気デバイスにおいて、上記磁性膜にミゾを形成することにより、上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上記コイルに流れる電流により発生する磁場の方向にほぼ垂直方向となるようにしたことを特徴とする薄膜磁気デバイス。
IPC (3件)：
H01F 10/00
, H01F 10/06
, H01F 41/14
H01F 10/00
, H01F 10/06
, H01F 41/14
5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049BA11
, 5E049CB10
, 5E049EB06
, 5E049GC01
