特許

J-GLOBAL ID：200903087244936494

半導体材料のライフタイム評価方法とその装置

発明者： 荻田 陽一郎 ,  草間 建男
出願人/特許権者： 学校法人幾徳学園 ,  株式会社セミテックス
代理人 (1件)： 安形 雄三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306147
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132373
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャルウエーハ或いは薄型のデバイス形成材料から製造される半導体デバイスの品質を評価するため、非接触非破壊で表面薄層部のライフタイムを計測し得る半導体材料のライフタイム評価方法及び装置を提供する。【構成】 評価すべき半導体材料の表面に短波長域の光を短時間照射してキャリヤを発生させると共に、前記表面にミリ波〜サブミリ波領域の電磁波を入射し、その反射波を計測することによって得た前記キャリヤの減衰波形から前記半導体材料の表面及び表面薄層部のライフタイムを評価するようにした半導体材料のライフタイム評価方法及び装置により、上記目的は達成される。

請求項（抜粋）：

半導体材料にエネルギーを注入して発生するキャリヤのライフタイムを計測して品質評価を行なうライフタイム評価方法において、評価すべき半導体材料の表面に短波長域の光を短時間照射してキャリヤを発生させると共に、前記表面にミリ波〜サブミリ波領域の電磁波を入射し、その反射波を計測することによって得た前記キャリヤの減衰波形から前記半導体材料の表面及び表面薄層部のライフタイムを評価するようにしたことを特徴とする半導体材料のライフタイム評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 22/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭53-014913
  
• 特開昭53-118373