特許

J-GLOBAL ID：200903087254421786

半導体素子用沸騰冷却器

発明者： 大部 利春 ,  齊藤 育夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270696
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116947
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 凝縮部を小形化すると共に、バ-ンアウト熱流束を増加させ、発熱損失増大に対応できる半導体素子用沸騰冷却器を提供すること。【解決手段】 内部に冷媒1を有する冷却器を備え、この冷却器の外側から半導体素子6を前記冷却器の受熱部2Aに取付け、前記冷媒1を沸騰させることにより、前記半導体素子6を冷却する半導体素子用沸騰冷却器において、前記冷却器内の沸騰伝熱面2Bに、ピッチが0.12mm〜1.2mm、幅が0.06mm〜0.6mm、高さが0.1mm〜1.0mmの微細なフィン7を前記沸騰伝熱面2Bの重力方向に設けることを特徴とする半導体素子用沸騰冷却器。

請求項（抜粋）：

内部に冷媒を有する冷却器を備え、この冷却器の外側から半導体素子を前記冷却器の受熱部に取付け、前記冷媒を沸騰させることにより、前記半導体素子を冷却する半導体素子用沸騰冷却器において、前記冷却器内の沸騰伝熱面に、ピッチが0.12mm〜1.2mm、幅が0.06mm〜0.6mm、高さが0.1mm〜1.0mmの微細なフィンを前記沸騰伝熱面の重力方向に設けることを特徴とする半導体素子用沸騰冷却器。