磁気抵抗効果素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206540
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】飽和磁界が低く、小さな磁界で大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【構成】磁性層2と非磁性層3とが磁気抵抗効果を発揮するように積層された積層体4と、この積層体に積層され前記磁性層の磁気モーメントの反転を補助する反転補助層5とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

磁性層と非磁性層とが磁気抵抗効果を発揮するように積層された積層体と、この積層体に積層され前記磁性層の磁気モーメントの反転を補助する反転補助層とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭61-253620
特開平1-251412
特開昭55-134368

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審査官引用 (4件)

特開昭61-253620
特開平1-251412
特開昭55-134368

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