特許

J-GLOBAL ID：200903087256421104

窒化アルミニウム基板およびその製造方法

発明者： 佐藤 英樹 ,  水野谷 信幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317092
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239286
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】 本発明の窒化アルミニウム基板は、素子を安定な状態で搭載することができ、基板の放熱性を損なうことがなく、また回路へ安定した状態で組み込むことが可能となる。さらに、本発明の製造方法によれば、1度のメタライズ処理およびメッキ処理で均質な窒化アルミニウム基板を大量に製造することができ、製造コストの低廉化に寄与する。【解決手段】 大寸法のAlN板表面全面にメタライズを形成し、さらにメッキ層を形成する。ついで、AlN板の周縁部のメタライズ層およびメッキ層が水平でない領域Aを切除する。その後メタライズ層およびメッキ層が積層形成された大寸法のAlN板を所望の寸法となるように切断する。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム板表面にメタライズ層およびメッキ層がこの順に積層形成されてなる窒化アルミニウム基板であって、前記窒化アルミニウム板表面全面に高融点金属成分を有するメタライズ層およびメッキ層が形成され、かつ前記窒化アルミニウム基板の側面には、前記メタライズ層が露出しており、このメタライズ層側面およびメッキ層側面が前記窒化アルミニウム板側面と同一平面上にあることを特徴とする窒化アルミニウム基板。

IPC (4件)：

C04B 41/90 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/373

FI (4件)：

C04B 41/90 A ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M