特許

J-GLOBAL ID：200903087256945014

高周波回路

発明者： 中塚 忠良 ,  八木田 秀樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224104
公開番号（公開出願番号）：特開平5-064356
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高周波特性を劣化させることなくサージ等の異常電圧から回路を保護する。【構成】 ダイオード111,112は逆バイアスされているため、ダイオード111,112の容量はFET101の入力容量よりはるかに小さく、高周波特性に影響を及ぼさない。ダイオード111,112の逆方向耐圧は、FET101のゲート逆方向耐圧より低く設定されており、ダイオード113,114についても同様である。高周波信号入力端子170にサージ電圧等のダイオード111,112の逆方向耐圧以上の異常電圧が印加された場合には、ダイオード111,112に電流が流れFET101を保護する。高周波信号出力端子171に異常電圧が印加された場合には、ダイオード113,114に電流が流れFET101を保護する。

請求項（抜粋）：

入力端子に第1の入力側ダイオードのアノードを接続し、前記第1の入力側ダイオードのカソードと第2の入力側ダイオードのカソードを接続し、前記第2の入力側ダイオードのアノードを接地し、前記第1の入力側ダイオードのカソードと前記第2の入力側ダイオードのカソードとの接続点に正の電圧を印加するようにした高周波回路。