特許

J-GLOBAL ID：200903087258121833

プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法

発明者： 真鍋 由雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181048
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 高周波の姿態や磁場分布に影響されずに均一でかつ高密度、高励起プラズマを形成するプラズマ装置、および薄膜形成及びエッチングを良好に行う薄膜形成方法及びエッチング方法を提供する。【解決手段】 誘電体板5上に同心環状電極6を設けた高周波電力導入部4を、基板2と対向させたプラズマ装置である。上記の高周波電力導入部4より放射された高周波によってプラズマを発生させて、真空槽1内に導入した成膜ガスを励起あるいはイオン化させて、基板2上に薄膜を形成するか、真空槽1内に導入したエッチングガスを励起あるいはイオン化させて、基板2上に照射してエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に対向して設置された基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前記基板設置台と対向する面に形成された複数個の同心環状の電極と、前記電極に接続された高周波源とを有するプラズマ装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H05H 1/46 C