特許

J-GLOBAL ID：200903087258201608

半導体装置の内部基準電圧生成回路及びこれを備える内部供給電圧生成回路

発明者： 沈載潤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-114728
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 温度変化によって内部基準電圧値を調節できる内部基準電圧生成回路及びこれを用い、温度変化によって内部供給電圧値を調節できる内部供給電圧生成回路を提供する。【解決手段】 第1入力端を介して入力される第1基準電圧と第2入力端を介して入力される入力電圧とを差動増幅し、出力端を介して内部基準電圧を出力する差動増幅器を備える内部基準電圧生成回路。前記差動増幅器の出力端と前記差動増幅器の第2入力端との間には第1抵抗部が接続され、第2基準電圧と前記差動増幅器の第2入力端との間には第2抵抗部が接続される。また、前記内部基準電圧生成回路は温度変化に従って変化する電圧を生じる温度依存可変電圧生成器を備え、前記第1抵抗部または前記第2抵抗部の抵抗値が前記温度変化に従って変化する電圧により制御されて可変となる。

請求項（抜粋）：

第1入力端を介して入力される第1基準電圧と第2入力端を介して入力される入力電圧とを差動増幅し、出力端を介して内部基準電圧を出力する第1の差動増幅器と、前記第1の差動増幅器の出力端と前記第1の差動増幅器の第2入力端との間に接続される第1抵抗部と、第2基準電圧と前記第1の差動増幅器の第2入力端との間に接続される第2抵抗部とを備え、前記第1抵抗部の抵抗値が、温度変化に従って変化する電圧に応じて変化することを特徴とする半導体装置の内部基準電圧生成回路。

IPC (4件)：

G05F 3/24 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03F 3/45

FI (3件)：

G05F 3/24 B ,  H03F 3/45 A ,  H01L 27/04 B

Fターム (32件)：

5F038BB04 ,  5F038BB08 ,  5F038EZ20 ,  5H420NA36 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB25 ,  5H420NC03 ,  5H420NE23 ,  5J066AA03 ,  5J066AA12 ,  5J066AA58 ,  5J066CA02 ,  5J066CA11 ,  5J066FA08 ,  5J066HA10 ,  5J066HA17 ,  5J066HA19 ,  5J066HA25 ,  5J066KA09 ,  5J066KA11 ,  5J066KA17 ,  5J066MA13 ,  5J066MA22 ,  5J066ND01 ,  5J066ND14 ,  5J066ND22 ,  5J066ND23 ,  5J066PD01 ,  5J066SA00 ,  5J066TA01 ,  5J066TA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電圧供給回路および内部降圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-157565   出願人：三菱電機株式会社
• バイアス発生回路およびレギュレータ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095914   出願人：新日本無線株式会社