特許
J-GLOBAL ID：200903087260600137
半導体素子の製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119043
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 作業効率を大幅に向上させることのできる半導体素子を製造する装置、とくに、バックコンタクト型集積シリコン太陽電池の製造装置を提供する。【解決手段】 直流電源44と、直流電源に接続された陽極42および陰極43と、電解溶液40と、電解溶液を収容した電解溶液槽41と、開口部48を有するマスク部材47と、半導体基板46を保持可能な支持部材45を備え、マスク部材を介して、半導体基板に通電して、開口部に対応する半導体基板を多孔質化することを特徴とする半導体素子の製造装置。
請求項（抜粋）：
直流電源と、前記直流電源に接続された陽極および陰極と、電解溶液と、前記電解溶液を収容した電解溶液槽と、開口部を有するマスク部材と、半導体基板を保持可能な支持部材を備え、前記マスク部材を介して、前記半導体基板に通電して、前記開口部に対応する前記半導体基板を多孔質化することを特徴とする半導体素子の製造装置。
Fターム (5件)：
5F051AA14
, 5F051EA01
, 5F051EA08
, 5F051EA16
, 5F051GA04
