固体撮像素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013748
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、半導体結晶基板上に設けられたアイソレーション電極からの電界効果を用いて、画素間の光電変換素子の電位を変調することにより、クロストークがなく、高感度な固体撮像素子を提供することにある。【構成】半導体結晶基板上に、信号読み出し処理回路と、光電変換素子を構成する半導体層を画素毎に分離せず連続して堆積して形成した複数の画素とを有する固体撮像素子において、前記画素の画素電極間直下に、絶縁層を介して、前記画素電極間直上の半導体層の電位を制御する変調電極を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板上に、信号読み出し処理回路と、光電変換素子を構成する半導体層を画素毎に分離せず連続して堆積して形成した複数の画素とを有する固体撮像素子において、前記画素の画素電極間直下に、絶縁層を介して、前記画素電極間直上の半導体層の電位を制御する変調電極を有することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H04N 1/028 , H04N 5/335

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