特許

J-GLOBAL ID：200903087268477350

集積コンパレータ回路

発明者： ホルガー ハイル ,  ヨーゼフ-マチアス ガンチオラー ,  ライナルト ザンダー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284489
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191065
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 C-MOS技術より簡単なN-MOSまたはP-MOS技術で製造できる集積コンパレータ回路を提供する。【構成】 作動電圧に対する第1の端子5と第1の入力端子8との間に接続されている第1および第2のMOSFET1、2から成る直列回路と、作動電圧に対する第3の端子3と第4の端子4との間に接続されている第3および第4のMOSFET3、4を有するインバータ段と、一方では第1のMOSFETと第2のMOSFETとの間の節点10と他方では第4のMOSFETのゲート端子との間の接続とを有し、第2のMOSFET2の伝達特性曲線が第4のMOSFET4の伝達特性曲線よりも急峻であり、また第2および第4のMOSFETがエンハンスメント形MOSFETである集積コンパレータ回路において、第1および第3のMOSFET1、3がディプレッション形MOSFETであり、またすべてのMOSFETが等しいチャネル形式である。

請求項（抜粋）：

作動電圧に対する第1の端子(5)と第1の入力端子(8)との間に接続されている第1および第2のMOSFET(1、2)から成る直列回路と、作動電圧に対する第3の端子(3)と第4の端子(4)との間に接続されている第3および第4のMOSFET(3、4)を有するインバータ段と、一方では第1のMOSFET(1)と第2のMOSFET(2)との間の節点(10)と他方では第4のMOSFET(4)のゲート端子(G)との間の接続とを有し、第2のMOSFET(2)の伝達特性曲線が第4のMOSFET(4)の伝達特性曲線よりも急峻であり、また第2および第4のMOSFET(2、4)がエンハンスメント形MOSFETである集積コンパレータ回路において、a)第1および第3のMOSFET(1、3)がディプレッション形MOSFETであり、b)すべてのMOSFETが等しいチャネル形式であることを特徴とする集積コンパレータ回路。

IPC (2件)：

G01R 19/165 ,  H03K 5/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭52-011199
  
• 集積コンパレータ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-335572   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特公昭52-011199