特許
J-GLOBAL ID：200903087273058064
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199878
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ホウ素の拡散を防止可能な窒素濃度を有しながらも窒素の分布ピークが裏面側にない薄いゲート絶縁膜を有する半導体装置を得る。【解決手段】 一酸化窒素雰囲気下での熱処理によって、半導体基板11の表面に窒素濃度が高くかつ薄い酸窒化膜13を成膜する。酸化処理を行うことによって、酸窒化膜13をその裏面側で酸化成長させ、酸化成長させた酸窒化膜13からなるゲート絶縁膜13aを形成する。これによって、窒素の分布ピークをゲート絶縁膜13aにおける表面側にする。このゲート絶縁膜13aを有するMOSトランジスタは、薄いゲート絶縁膜13aを有し、ゲート絶縁膜13a中の窒素によってホウ素の拡散が防止されてしきい電圧が安定化すると共に、窒素の分布ピークがゲート絶縁膜13aの表面側に位置することによって電流駆動能力の低下が抑えられたものになる。
請求項（抜粋）：
一酸化窒素雰囲気下での熱処理によって、半導体基板の表面に酸窒化膜を成膜する工程と、酸化処理を行うことによって前記酸窒化膜を酸化成長させ、前記半導体基板の表面層に酸窒化膜からなる絶縁膜を形成する工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 G
