特許

J-GLOBAL ID：200903087275147200

半導体装置

発明者： 原田 豊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大島 一公
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135283
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335374
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 配線基板に半導体素子を直接接続する半導体装置の品質、信頼性および経済性を改善する。【構成】 配線基板4上の配線電極6中に凹部7を構成して、接続材料5がこの凹部からはみ出さない状態として配線電極8のバンプ3と接続する。【効果】 配線電極6中に構成した凹部7により、接続材料5がたまり、配線電極6からはみ出しにくくなり、ショートによる初期不良および使用により発生していたマイグレーションによるリーク不良も低減でき品質、信頼性が向上でき、しかも検査の必要もなくなる等の効果がある。

請求項（抜粋）：

配線基板の配線電極上に、半田または導電性接着剤を介して電極に金属または合金のバンプを備えた半導体素子を、直接接続した半導体装置において、前記配線基板の配線電極上で前記バンプに接する領域に半田または導電性接着剤をためる凹部を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/92 B ,  H01L 23/12 Q