特許
J-GLOBAL ID：200903087279936713
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 美次郎
, 武井 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112462
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287226
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】例えば300°C以上の高温に曝されても、軟磁気特性の劣化を抑制することができる磁気シールド膜を備えた磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子は、下部磁気シールド膜1と、下部磁気シールド膜1の上に配置された磁気抵抗効果膜3とを含む。下部磁気シールド膜1は、下地シールド層11と、上層シールド層13とを含む。上層シールド層13は、BもしくはPを含有するNiFe系、または、BもしくはPを含有するCoFe系の組成を有する微結晶またはアモルファスからなり、下地シールド層11の上に積層されている。下地シールド層11は、磁性導電層であり、結晶粒径が20nm以下の微結晶またはアモルファスからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部磁気シールド膜と、前記下部磁気シールド膜の上に配置された磁気抵抗効果膜とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記下部磁気シールド膜は、下地シールド層と、上層シールド層とを含み、
前記上層シールド層は、BもしくはPを含有するNiFe系、または、BもしくはPを含有するCoFe系の組成を有する微結晶またはアモルファスからなり、前記下地シールド層の上に積層されており、
前記下地シールド層は、磁性導電層であり、結晶粒径が20nm以下の微結晶またはアモルファスからなる、
磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5D034BA03
, 5D034BB09
, 5F092AA08
, 5F092AB03
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB17
, 5F092BB24
, 5F092BB36
, 5F092BB44
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC19
, 5F092CA25
