特許

J-GLOBAL ID：200903087284677750

半導体処理方法および処理装置

発明者： 前津 考志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234162
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045828
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】ウエハーまたはチップの裏面の面粗さを安価な装置で改善する。【解決手段】半導体処理装置100は、チップ1を固定するステージ2と、レーザ発生器3と、レーザ発生器3が装着されている走査機構4とから構成されている。これを用いて、チップ1の裏面を処理する場合、まず、チップ1を、その裏面を上向きにしてステージ2の上に固定する。次に、レーザ発生器3を走査機構4によって移動し、レーザ光でチップ1の裏面を走査する。これによって、レーザ熱によりチップ1の裏面が溶融して凸部分を凹部分に充填し、面粗さが改善される。薬品を用いて面粗さを改善するものではなく、安価な装置でチップ1の裏面の面粗さを改善できる。

請求項（抜粋）：

ダイシング前のウエハーまたはダイシングした上記ウエハーより得られたチップの裏面の面粗さを改善する半導体処理方法であって、上記ウエハーまたは上記チップの裏面をレーザ光で走査することを特徴とする半導体処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  B23K 26/00 ,  B23K101:40

FI (4件)：

H01L 21/304 621 Z ,  B23K 26/00 E ,  B23K 26/00 H ,  B23K101:40

Fターム (3件)：

4E068AH01 ,  4E068CA04 ,  4E068DA10