特許
J-GLOBAL ID：200903087285682138
芳香族ジスルフィド類の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
津国 肇 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004371
公開番号（公開出願番号）：WO2001-012595
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月22日
要約：
【要約】本発明は、(A)一般式(I):Yn-Ar-S-R (I)式中、Arは、炭化水素芳香環残基を表し;Rは、1価の第三級炭化水素基、ならびにベンジル基およびベンジル基から誘導される1価の第二級炭化水素基からなる群より選ばれた1価の炭化水素基を表し;Yは、1価の電子吸引性基を表し、nが2以上のときは、複数のYは、たがいに同一でも異なっていてもよく;nは、1〜12の整数である、で示される芳香族チオエーテル類を、(B)下記の(1)〜(4)の少なくとも1種:(1)臭素;(2)(a)臭化水素および(b)過酸化水素;(3)触媒量のヨウ素および/またはヨウ化水素の存在下において、(c)塩素;(4)触媒量のヨウ素および/またはヨウ化水素の存在下において、(d)塩化水素および(b)過酸化水素と反応させることを特徴とする、一般式(II):Yn-Ar-S-S-Ar-Yn (II)式中、Ar、Yおよびnは、前述のとおりである、で示される芳香族ジスルフィド類を製造する方法に関する。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I): Yn-Ar-S-R (I) 式中、 Arは、炭化水素芳香環残基を表し; Rは、1価の第三級炭化水素基、ならびにベンジル基およびベンジル基から誘導される1価の第二級炭化水素基からなる群より選ばれた1価の炭化水素基を表し; Yは、1価の電子吸引性基を表し、nが2以上のときは、複数のYは、たがいに同一でも異なっていてもよく; nは、1〜12の整数である、で示される芳香族チオエーテル類を、(B)下記の(1)〜(4)の少なくとも1種:(1)臭素;(2)(a)臭化水素および(b)過酸化水素;(3)触媒量のヨウ素および/またはヨウ化水素の存在下において、(c)塩素;(4)触媒量のヨウ素および/またはヨウ化水素の存在下において、(d)塩化水素および(b)過酸化水素と反応させることを特徴とする、一般式(II): Yn-Ar-S-S-Ar-Yn (II) 式中、Ar、Yおよびnは、前述のとおりである、で示される芳香族ジスルフィド類を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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