特許

J-GLOBAL ID：200903087285824250

化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置並びに化合物半導体単結晶

発明者： 小田 修 ,  関 洋二 ,  井上 孝行
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998004924
公開番号（公開出願番号）：WO1999-034037
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 1999年07月08日
要約：

【要約】化合物半導体MmXn(但し、Mは第12(2B)族元素又は第13(3B)族元素、Xは第15(5B)族元素又は第16(6B)族元素、m,nは1以上の整数。)単結晶の製造方法において、(1)処理室内に、元素Mを収容した結晶成長用容器と元素Xを含有する気体とを導入する工程と、(2)結晶成長用容器内の元素Mを、加熱して溶融させる工程と、(3)元素Xを含有する気体に圧力を加えて、当該気体を元素Mの融液の中に溶解させる工程と、(4)元素Xを含有する気体を溶解させた元素Mの融液の温度を一定に保ちつつ、元素Xを含有する気体を更に加圧し、温度と圧力の条件が、MmXnのP-T状態図における固体状態としての安定領域内に収まるように制御して、MmXnの単結晶を成長させる工程とを備える。

請求項（抜粋）：

元素Mの融液の中に、元素Xを含有する気体を高圧下で溶解させて化合物半導体MmXn(但し、Mは周期表第12(2B)族元素又は第13(3B)族元素、Xは周期表第15(5B)族元素又は第16(6B)族元素、m,nは1以上の整数である。)の単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法において、(1)加熱手段および加圧手段を備えた所定の処理室内に、所定量の上記元素Mを収容した結晶成長用容器と上記元素Xを含有する気体とを導入する工程と、(2)上記結晶成長用容器内の元素Mを、上記加熱手段によって所定温度に加熱して溶融させる工程と、(3)上記元素Xを含有する気体に、上記加圧手段によって所定の圧力を加えて、当該気体を元素Mの融液の中に溶解させる工程と、(4)上記元素Xを含有する気体を溶解させた元素Mの融液の温度を一定に保ちつつ、前記元素Xを含有する気体を上記加圧手段によって更に加圧し、温度と圧力の条件が、化合物半導体MmXnの圧力-温度状態図(P-T状態図)における固体状態としての安定領域内に収まるように上記加熱手段および上記加圧手段を制御して、化合物半導体MmXnの単結晶を成長させる工程と、 を少なくとも備えることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 ,  C30B 29/48 ,  C30B 11/12