特許
J-GLOBAL ID：200903087288855017
半導体ウェハの研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 茂夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186239
公開番号（公開出願番号）：特開平6-000763
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハの片面鏡面研磨における研磨方法に関し、ウェハの研磨工程を改善し、高品質の片面鏡面研磨ウェハを得ることを目的とする。【構成】 研磨する半導体ウェハの裏面をパッドに吸着し、ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨するワックスレス研磨方法において、ウェハの表面と研磨布との間およびウェハの裏面とパッドとの間にそれぞれ研磨液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転するウェハとパッドとの間の相対運動によってウェハの裏面を研磨する。
請求項（抜粋）：
研磨する半導体ウェハの裏面をパッドに吸着し、前記ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨するワックスレス研磨方法において、前記ウェハの表面と前記研磨布との間および前記ウェハの裏面と前記パッドとの間にそれぞれ研磨液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転する前記ウェハと前記パッドとの間の相対運動により前記ウェハの裏面を研磨することを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。
IPC (2件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
