特許
J-GLOBAL ID：200903087289665408

磁気記録媒体およびその製造方法

発明者：
柴田 一喜

柴田 一喜 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375404
公開番号（公開出願番号）：特開2004-206805
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】Coを母材とする第1の層(14a)とPtまたはPdを母材とする第2の層(14b)とを交互に多数積層させた多数積層記録層(14)をスパッタ成膜する際のターゲット中に予め、Ta、Al、Ga、In、Ge、Sn、Sb、Bi、Zn、Cd、Cr、Mo、W、V、Nb、Ti、Zr、Hf、Y、Mg、Baの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物を添加しておき、第1および第2の層の少なくとも一方の層に、金属添加濃度が母材に対して5〜20at%の範囲となるようにスパッタ成膜することとした。これにより、多数積層記録層(14)中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げることで結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させ媒体ノイズを低減することとした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、 前記磁気記録層は、第1の層と第2の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、 前記第1の層と前記第2の層の少なくとも一方の層には、Ta、Al、Ga、In、Ge、Sn、Sb、Bi、Zn、Cd、Cr、Mo、W、V、Nb、Ti、Zr、Hf、Y、Mg、Baの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物が添加されており、 前記金属の添加濃度が、前記第1の層および/または前記第2の層の母材に対して5〜20at%の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (11件)：
G11B5/673 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/187 ,  H01F41/18
FI (11件)：
G11B5/673 ,  C23C14/06 N ,  C23C14/34 N ,  G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/187 ,  H01F41/18
Fターム (42件)：
4K029AA09 ,  4K029BA02 ,  4K029BA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA16 ,  4K029BA21 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  5D006BB01 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA06 ,  5D006CB04 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA05 ,  5D112AA06 ,  5D112AA24 ,  5D112BA03 ,  5D112BB05 ,  5D112BD03 ,  5D112BD05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC01 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5E049GC02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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